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中微公司三季報中的兩項重大技術(shù)突破：存儲芯片用高端刻蝕機(jī)大規(guī)模量產(chǎn)，多款薄膜設(shè)備性能達(dá)到國際先進(jìn)水平

2025/10/29 19:42:12      周路遙

2025年10月29日，中微公司（688012.SH）發(fā)布了2025年第三季度報告。公司2025年前三季度（1-9月）營業(yè)收入為80.63億元，同比增長約46.40%，歸屬于上市公司股東的凈利潤為12.11億元，較去年同期增長約32.66%，研發(fā)支出25.23億元，較去年同期增長約63.44%，研發(fā)支出占公司營業(yè)收入比例約為31.29%。

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對于此次利潤增長，中微公司表示，主要有三大原因：

1、2025年前三季度營業(yè)收入增長46.40%下，毛利較上年增長約8.27億元；

2、由于市場對中微開發(fā)多種新設(shè)備的需求急劇增長，2025年公司顯著加大研發(fā)力度，以盡快補(bǔ)短板，實現(xiàn)趕超，為持續(xù)增長打好基礎(chǔ)。2025年前三季度公司研發(fā)支出較上年同期增長9.79億元（增長約63.44%），研發(fā)支出占公司營業(yè)收入比例約為31.29%，遠(yuǎn)高于科創(chuàng)板均值；

3、由于市場波動，公司2025年前三季度計入非經(jīng)常性損益的股權(quán)投資收益為3.29億元，較上年同期增加約2.75億元。

存儲芯片用刻蝕機(jī)獲重大突破，薄膜設(shè)備收入同比增長1333%

值得一提的是，中微公司不僅實現(xiàn)了業(yè)績上的增長，在技術(shù)領(lǐng)域，中微公司同樣有重大突破。

一是，存儲芯片用刻蝕機(jī)獲重大突破。

中微公司表示，公司針對先進(jìn)邏輯和存儲器件制造中關(guān)鍵刻蝕工藝的高端產(chǎn)品新增付運(yùn)量顯著提升，先進(jìn)邏輯器件中段關(guān)鍵刻蝕工藝和先進(jìn)存儲器件的超高深寬比刻蝕工藝實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。其中CCP方面，公司用于關(guān)鍵刻蝕工藝的單反應(yīng)臺介質(zhì)刻蝕產(chǎn)品保持高速增長，60比1超高深寬比介質(zhì)刻蝕設(shè)備成為國內(nèi)標(biāo)配設(shè)備，量產(chǎn)指標(biāo)穩(wěn)步提升，下一代90比1超高深寬比介質(zhì)刻蝕設(shè)備即將進(jìn)入市場。

二是，薄膜設(shè)備領(lǐng)域取得重大突破。

今年前三季度，中微公司LPCVD和ALD等薄膜設(shè)備收入4.03億元，同比增長約1332.69%。

中微公司強(qiáng)調(diào)，公司為先進(jìn)存儲器件和邏輯器件開發(fā)的LPCVD、ALD等多款薄膜設(shè)備已經(jīng)順利進(jìn)入市場，并且設(shè)備性能完全達(dá)到國際領(lǐng)先水平，薄膜設(shè)備的覆蓋率不斷增加。

除了上述兩大突破，在其他技術(shù)領(lǐng)域，中微公司也有進(jìn)展。

中微公司表示，ICP方面，適用于下一代邏輯和存儲客戶用ICP刻蝕設(shè)備和化學(xué)氣相刻蝕設(shè)備開發(fā)取得了良好進(jìn)展。加工的精度和重復(fù)性已達(dá)到單原子水平。

此外，公司硅和鍺硅外延EPI設(shè)備已順利運(yùn)付客戶端進(jìn)行量產(chǎn)驗證，并且獲得客戶高度認(rèn)可。在泛半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，公司正在開發(fā)更多化合物半導(dǎo)體外延設(shè)備，已陸續(xù)付運(yùn)至客戶端開展生產(chǎn)驗證。